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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ130(L)|2SJ130(S) | ETC |
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| 2SJ130(S) | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SJ130(S) | RENESAS |
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1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| 2SJ130(S)-(1) | RENESAS |
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Transistor |
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| 2SJ130(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 300V, 8.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ130(S)TR | RENESAS |
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1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ130(S)TR | HITACHI |
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1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ130L | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ130L | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ130L-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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