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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ126 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ127 | RENESAS |
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10A, 120V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| 2SJ128 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
|
| 2SJ128(0)-Z-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SJ128(0)-Z-AZ |
|
| 2SJ128Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
|
| 2SJ128-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ128-Z | RENESAS |
获取价格 |
2A, 100V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
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| 2SJ128-Z-E2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,2A I(D),TO-252 |
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| 2SJ128-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ130 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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