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2SJ119

更新时间： 2024-01-18 11:17:03

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1页	79K
描述
SILICON P-CHANNEL MOS FET

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2SJ119 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SJ119 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ120L	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252VAR	获取价格
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