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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ114 | HITACHI | HIGH SPEED POWER SWITCHING, HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SJ115 | ETC | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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| 2SJ1151STR-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SJ1152STR-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SJ115O | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SJ115-O | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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