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2SJ1151STR-E

更新时间： 2024-02-23 18:11:19

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7页	120K
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Silicon N Channel MOS FET

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2SJ1151STR-E 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-83
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	5.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ1151STR-E 数据手册

Preliminary Datasheet

2SK1151(L), 2SK1151(S),

2SK1152(L), 2SK1152(S)

Silicon N Channel MOS FET

R07DS0397EJ0300

(Previous: REJ03G0907-0200)

Rev.3.00

May 16, 2011

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A

(Package name: DPAK(L)-(1))

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK(S))

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

450

500

±30

1.5

Unit

Drain to source voltage

2SK1151

2SK1152

V_DSS

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

I_D

Drain peak current

I_D(pulse)

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

1.5

Pch*²

Tch

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at T_C= 25°C

R07DS0397EJ0300 Rev.3.00

May 16, 2011

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与2SJ1151STR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ1152STR-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SJ115O	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 160V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SJ115-O	TOSHIBA	TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ115Y	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 160V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SJ115-Y	TOSHIBA	TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ116	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格