生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ117 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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2SJ118 | ETC | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ119 | ETC | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ120L | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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2SJ120S | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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2SJ122 | ETC | TRANSISTOR TO 220 MOSFET P KANAL |
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