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2SJ118

更新时间： 2024-01-03 06:38:22

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1页	79K
描述
SILICON P-CHANNEL MOS FET

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2SJ118 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SJ118 数据手册

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