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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 160 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ1151STR-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SJ1152STR-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SJ115O | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SJ115-O | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ115Y | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SJ115-Y | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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