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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大发射极电流： | 50 mA | 最大本征偏离比： | 0.62 |
| 最小本征偏离比： | 0.47 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.45 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小基极间静态电阻： | 4.5 k Ω |
| 子类别： | Unijunction Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SH13 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH14 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH15 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH16 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH16-E | RENESAS |
获取价格 |
75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-3PL, 3 PIN |
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| 2SH17 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH18 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH19 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | RENESAS |
获取价格 |
36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, SC-65, TO-3P, 3 PIN |
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