2SH14

更新时间： 2024-02-27 07:11:19

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日立 - HITACHI		双极性晶体管栅局域网
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8页	46K
描述
Silicon N-Channel IGBT

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2SH14 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	最大降落时间（tf）：	600 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

2SH14 数据手册

ADE–208–287 (Z)

2SH14

Silicon N-Channel IGBT

1st. Editon

Feb. 1995

Application

TO–3P

High speed power switching

Features

• High speed switching

• Low on saturation voltage

1. Gate

2. Collector

3. Emitter

Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter voltage

600

CES

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter voltage

±20

GES

———————————————————————————————————————————

Collector current

———————————————————————————————————————————

Collector peak current

ic(peak)

———————————————————————————————————————————

Collector dissipation

P *

100

———————————————————————————————————————————

Channel temperature

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

* Value at Tc = 25°C

12 3 4 5 6 7 8

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