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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SH18 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH19 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | RENESAS |
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36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, SC-65, TO-3P, 3 PIN |
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| 2SH21 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH22 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH26 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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| 2SH26 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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| 2SH27 | HITACHI |
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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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| 2SH27 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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