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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PL |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1600 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SH17 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH18 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH19 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH20 | RENESAS |
获取价格 |
36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, SC-65, TO-3P, 3 PIN |
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| 2SH21 | HITACHI |
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Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH22 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH26 | HITACHI |
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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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| 2SH26 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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| 2SH27 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
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