2SD334R

更新时间： 2024-09-23 13:04:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	78K
描述
Transistor

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2SD334R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD334R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD334

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V (Min)

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

UNIT

110

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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