2SD357

更新时间： 2024-11-12 06:16:43

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	231K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD357 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD357

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SB527

APPLICATIONS

·Designed for AF high power dirver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

110

100

UNIT

Collector Current-Continuous

0.8

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SD357相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD357C	ISC	获取价格	暂无描述
2SD358	ETC	获取价格	2SD356
2SD359	ETC	获取价格	2SD359
2SD360	ETC	获取价格	2SD359
2SD361	ETC	获取价格	2SD361
2SD362	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD362	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD362	KISEMICONDUCTOR	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
2SD362N	ISC	获取价格	Transistor
2SD363	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor