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2SD365A

更新时间: 2024-11-12 14:46:23
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MICRO-ELECTRONICS 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SD365A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.44
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

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