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2SD381

更新时间： 2024-02-27 00:14:36

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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3页	93K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD381 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	20 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	45 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SD381 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD381

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB536

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier

·Low speed power switching

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

130

120

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

1.5

I_CM

Collector current-peak

Base current

3.0

I_B

0.3

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-50~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD381L	ISC	Transistor	获取价格
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2SD381N	ISC	Transistor	获取价格
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2SD382K	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格