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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 70 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD362N | ISC | Transistor |
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| 2SD363 | ISC | Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD365 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
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| 2SD365A | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220, BIP General Purpose Power |
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| 2SD365A | MICRO-ELECTRONICS | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD366 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
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