2SD357C

更新时间： 2024-11-12 13:04:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SD357C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD357

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SB527

APPLICATIONS

·Designed for AF high power dirver applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

110

100

UNIT

Collector Current-Continuous

0.8

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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