2SD2384

更新时间： 2024-11-25 07:31:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	96K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD2384 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD2384 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD2384

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 140V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 5000(Min)@I_C= 6A

·Complement to Type 2SB1555

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

140

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

150

-55~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD2384-A	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe
2SD2384B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-264AA
2SD2384-B	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe
2SD2384C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-264AA
2SD2384-C	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SD2385	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
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2SD2385A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-264AA
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