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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2138A
2SD2138A PDF预览

2SD2138A

更新时间： 2024-09-23 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

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2SD2138A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSIP-T3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SD2138A 数据手册

 浏览型号2SD2138A的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SB1418, 2SB1418A  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
Unit: mm  
For power amplification  
Complementary to 2SD2138 and 2SD2138A  
5.0±0.1  
10.0±0.2  
1.0  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
90°  
●
High-speed switching  
●
Allowing automatic insertion with radial taping  
1.2±0.1  
C1.0  
2.25±0.2  
0.65±0.1  
1.05±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.35±0.1  
Parameter  
Collector to  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.55±0.1  
0.55±0.1  
2SB1418  
2SB1418A  
2SB1418  
–60  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–80  
C1.0  
1
2 3  
–60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB1418A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
2.5±0.2  
2.5±0.2  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
MT4 Type Package  
–4  
IC  
–2  
15  
Internal Connection  
Collector power TC=25°C  
C
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2.0  
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
E
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–100  
–100  
–100  
Unit  
Collector cutoff  
2SB1418  
2SB1418A  
2SB1418  
2SB1418A  
VCB = –60V, IB = 0  
µA  
current  
VCB = –80V, IB = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –40V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
µA  
µA  
V
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB1418  
voltage 2SB1418A  
–60  
–80  
IC = –30mA, IB = 0  
VCE = –4V, IC = –1A  
1000  
2000  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
*
hFE2  
VCE = –4V, IC = –2A  
10000  
–2.8  
VBE  
VCE = –4V, IC = –2A  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –2A, IB = –8mA  
–2.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
fT  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
IC = –2A, IB1 = –8mA, IB2 = 8mA,  
VCC = –50V  
20  
0.2  
2
MHz  
µs  
ton  
toff  
Turn-off time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
2000 to 5000 4000 to 10000  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2138AP ETC

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2SD2138AQ ETC

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2SD2139 PANASONIC

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