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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2141
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2SD2141

更新时间： 2024-09-23 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体驱动器晶体管功率双极晶体管开关电机局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Ignitor, Driver for Solenoid and Motor, and General Purpose)

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2SD2141 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.26
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.067
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：330 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1500JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SD2141 数据手册

  
Equivalent circuit  
C
E
Built-in Avalanche Diode  
for Surge Absorbing  
Darlington  
B
2 S D2 1 4 1  
(1.5kΩ)(100Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
Application : Ignitor, Driver for Solenoid and Motor, and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
2SD2141  
380±50  
380±50  
6
Unit  
µA  
mA  
V
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SD2141  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Unit  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
10max  
VCB=330V  
20max  
IEBO  
VEB=6V  
V
330 to 430  
1500min  
1.5max  
20typ  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
6(Pulse10)  
1
VCE=2V, IC=3A  
IC=4A, IB=20mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
V
MHz  
pF  
IB  
VCE(sat)  
fT  
A
PC  
35(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
±0.15  
Tj  
95typ  
1.35  
1.35  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
C E  
–
–
–
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
120mA 90mA 60mA  
10  
10  
3
2
5
5
IC=7A  
5A  
3A  
1
1A  
0
0
0
0
2
4
6
0.2 0.5  
1
5
10  
50 100 200  
0
1.0  
2.0  
2.4  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=2V)  
(VCE=2V)  
5
10000  
10000  
5000  
5000  
Typ  
1000  
500  
1000  
500  
1
0.5  
100  
50  
100  
50  
100 .02  
0.1  
Collector Current IC(A)  
0.5  
1
5
10  
200 .02  
0.1  
Collector Current IC(A)  
1.0  
5
10  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.5  
Time t(ms)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
40  
30  
20  
10  
20  
10  
40  
30  
20  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
Typ  
5
1
0.5  
150x150x2  
100x100x2  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
10  
0
0.05  
50x50x2  
Without Heatsink  
2
0
0.01  
0.01  
0.05 01  
0.5  
1
5
1
5
10  
50 100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
147  
1

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2SD2141 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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