2SD2139

更新时间： 2024-11-11 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关
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3页	53K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-current amplification ratio, power amplification)

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2SD2139 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.81
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2139 数据手册

Power Transistors

2SD2139

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high-current amplification ratio, power amplification

Unit: mm

5.0±0.1

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

10.0±0.2

1.0

●

90°

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

●

Allowing supply with the radial taping

1.2±0.1

C1.0

2.25±0.2

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.65±0.1

1.05±0.1

0.35±0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.55±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

C1.0

2 3

2.5±0.2

I_C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

MT4 Type Package

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

V_CB= 80V, I_E= 0

V_CE= 40V, I_B= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

I_C= 25mA, I_B= 0

h_FE

V_CE= 4V, I_C= 0.5A

500

2500

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 2A, I_B= 0.05A

Transition frequency

f_T

V_CE= 12V, I_C= 0.2A, f = 10MHz

MHz

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

500 to 1000 800 to 1500 1200 to 2500

12 3

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