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2SD2143TL

更新时间： 2024-09-23 23:20:31
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
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1页 33K
描述
BJT

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2SD2143TL 数据手册

  
2SD2212 / 2SD2143 / 2SD1866  
Transistors  
Medium Power Transistor  
(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A)  
2SD2212 / 2SD2143 / 2SD1866  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zFeatures  
1) Built-in zener diode between collector and base.  
2) Strong protection against reverse surges due to "L"  
loads.  
2SD2212  
4.0  
1.0  
2.5  
0.5  
(
)
1
(
)
2
3
3) Built-in resistor between base and emitter.  
4) Built-in damper diode.  
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
V
Limits  
60±10  
60±10  
6
Unit  
V
V
V
A(DC)  
1.5  
5.5  
2SD2143  
CBO  
V
V
CES  
EBO  
2
I
C
Collector current  
0.9  
3
2
10  
1
A(Pulse)  
W
W(Tc=25°C)  
1
2
2SD2212  
2SD2143  
2SD1866  
Collector power  
dissipation  
P
C
C0.5  
W
°C  
°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55~+150  
0.8Min.  
1
Single pulse Pw=100ms  
2 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.  
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
1.5  
3
2.5  
9.5  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SD2212  
MPT3  
1k~10k  
T100  
2SD2143  
CPT3  
1k~10k  
TL  
2SD1866  
ATV  
Package  
1k~10k  
TV2  
2500  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2SD1866  
2.5  
6.8  
1000  
2500  
zEquivalent circuit  
0.65Max.  
C
0.5  
B
( )  
2
( )  
3
( )  
1
R1  
R2  
2.54  
2.54  
E
E : Emitter  
B : Base  
C : Collector  
1.05  
0.45  
R
R
1
2
3.5kΩ  
300Ω  
Taping specifications  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
50  
50  
−
−
−
−
−
−
−
−
70  
70  
1.0  
3
1.5  
10000  
−
V
V
µA  
mA  
V
I
I
V
V
I
C
=
50µA  
C=  
5mA  
=40V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
CB  
I
V
h
EB=5V  
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Output capacitance  
C/I  
B
=
1A/1mA  
2V, IC 1A  
10V, IE 0A, f=1MHz  
1000  
−
−
25  
−
pF  
V
V
CE  
CB  
=
=
=
=
Cob  
Measured using pulse current.  
1

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与2SD2143TL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2143TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144 ROHM

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 		High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2144S ROHM

获取价格

 		High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2144S/UV ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144S/UW ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144S/V ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144S/VW ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144S/W ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144STP/UW ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2144STP/V ROHM

获取价格

 		500mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN

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