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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1975AQ
2SD1975AQ PDF预览

2SD1975AQ

更新时间： 2024-11-20 13:00:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP3L, 3 PIN

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2SD1975AQ 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3L
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SD1975AQ 数据手册

 浏览型号2SD1975AQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1975AQ的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD1975, 2SD1975A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB1317 and 2SB1317A  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
3.0  
Features  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC  
characteristics  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
1.5  
High transition frequency fT  
●
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier  
1.5  
2.0±0.3  
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1.0±0.2  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.6±0.2  
Collector to  
2SD1975  
2SD1975A  
2SD1975  
180  
5.45±0.3  
VCBO  
V
10.9±0.5  
base voltage  
Collector to  
200  
180  
VCEO  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
emitter voltage 2SD1975A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
200  
1
2
3
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
TOP–3L Package  
25  
15  
IC  
Collector power TC=25°C  
150  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
Collector cutoff  
2SD1975  
VCB = 180V, IE = 0  
current  
2SD1975A  
VCB = 200V, IE = 0  
50  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE1  
VEB = 3V, IC = 0  
50  
µA  
VCE = 5V, IC = 20mA  
VCE = 5V, IC = 1A  
20  
60  
20  
*
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
hFE3  
VBE  
200  
VCE = 5V, IC = 8A  
VCE = 5V, IC = 8A  
1.8  
2.5  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10A, IB = 1A  
Transition frequency  
fT  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
20  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
200  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
S
P
60 to 120  
80 to 160  
100 to 200  
1
123

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与2SD1975AQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1975AS PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1975P ISC

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 		Transistor
2SD1975Q ISC

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 		Transistor
2SD1975S ISC

获取价格

 		Transistor
2SD1976 HITACHI

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused
2SD1976 RENESAS

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 		Silicon NPN Triple Diffused
2SD1977 ETC

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 		PNP EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFUSSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SD1978 HITACHI

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1978 RENESAS

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1978RF HITACHI

获取价格

 		1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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