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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1975A
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2SD1975A

更新时间： 2024-11-23 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)

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2SD1975A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3L
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SD1975A 数据手册

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Power Transistors  
2SD1975, 2SD1975A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB1317 and 2SB1317A  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
3.0  
Features  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC  
characteristics  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
1.5  
High transition frequency fT  
●
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier  
1.5  
2.0±0.3  
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1.0±0.2  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.6±0.2  
Collector to  
2SD1975  
2SD1975A  
2SD1975  
180  
5.45±0.3  
VCBO  
V
10.9±0.5  
base voltage  
Collector to  
200  
180  
VCEO  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
emitter voltage 2SD1975A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
200  
1
2
3
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
TOP–3L Package  
25  
15  
IC  
Collector power TC=25°C  
150  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
Collector cutoff  
2SD1975  
VCB = 180V, IE = 0  
current  
2SD1975A  
VCB = 200V, IE = 0  
50  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE1  
VEB = 3V, IC = 0  
50  
µA  
VCE = 5V, IC = 20mA  
VCE = 5V, IC = 1A  
20  
60  
20  
*
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
hFE3  
VBE  
200  
VCE = 5V, IC = 8A  
VCE = 5V, IC = 8A  
1.8  
2.5  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10A, IB = 1A  
Transition frequency  
fT  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
20  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
200  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
S
P
60 to 120  
80 to 160  
100 to 200  
1
123

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