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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1818-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1818-L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1818-L-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1818-M-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD1819A | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type |
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| 2SD1819A | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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| 2SD1819A | SECOS |
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NPN Silicon General Purpose Transistor |
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| 2SD1819A | TYSEMI |
获取价格 |
High foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat |
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| 2SD1819A | CJ |
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SOT-323 |
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| 2SD1819A | BL Galaxy Electrical |
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50V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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