2SD1819AH

更新时间： 2024-01-17 12:24:06

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD1819AH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1819AH 数据手册

Transistor

2SD1819A

Silicon NPN epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB1218A

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.2±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

200

˚C

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

S–Mini Type Package

I_C

100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Marking symbol : Z

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

µA

V_CB= 20V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 10V, I_B= 0

100

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 2mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= 10V, I_C= 2mA

V_CE= 2V, I_C= 100mA

I_C= 100mA, I_B= 10mA

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

160

460

0.3

Forward current transfer ratio

h_FE2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.1

150

3.5

MHz

Transition frequency

f_T

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

160 ~ 260

210 ~ 340

290 ~ 460

Marking Symbol

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