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2SD1819G-Q

更新时间： 2024-02-23 01:53:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	276K
描述
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SD1819G-Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1819G-Q 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SD1819G

Silicon NPN epitaxial planar type

For general amplification

Complementary to 2SB1218G

■ Features

■ Package

• High forward current transfer ratio h_FE

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape pacing and the magazine

pacing.

•

Code

SMini3-F2

Marking Symbol: Z

Pin Name

1: Base

•

2: Emitter

3: Collector

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

100

°C

Peak collector current

I_CP

200

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

V_CE= 2 V, I_C= 100 mA

0.1

100

460

µA



I_CEO

h_FE1

160

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

0.1

150

3.5

0.3

MHz

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

210 to 340

290 to 460

No rank

160 to 460

h_FE1

160 to 260

Marking symbol

Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.

Publication date: May 2007

SJC00372AED

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与2SD1819G-Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1819GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1819G-R	PANASONIC	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SD1819GS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1819G-S	PANASONIC	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SD1819H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1820	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type
2SD1820	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD1820	TYSEMI	获取价格	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).
2SD1820_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1820A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type

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