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2SD1819A

更新时间： 2024-01-25 19:26:58
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
NPN Silicon General Purpose Transistor

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2SD1819A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHz

2SD1819A 数据手册

 浏览型号2SD1819A的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1819A  
NPN Silicon  
Elektronische Bauelemente  
General Purpose Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-323  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
FEATURES  
A
L
1.800 2.200  
1.150 1.350  
0.800 1.000  
0.300 0.400  
1.200 1.400  
0.000 0.100  
0.100 0.250  
0.350 0.500  
0.590 0.720  
2.000 2.400  
0.280 0.420  
z
High foward current transfer ratio hFE.  
z
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).  
3
z Complementary to 2SB1218A  
S
C
Top View  
B
1
2
COLLECTOR  
V
G
3
K
L
1
BASE  
2
H
J
D
K
EMITTER  
S
V
All Dimension in mm  
MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
7
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
100  
150  
150  
-55-150  
mA  
mW  
℃
PC  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tstg  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
MIN  
60  
50  
7
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC =10μA, IE=0  
IC =2mA, IB=0  
IE=10μA, IC=0  
VCB=20V, IE=0  
VCE=10V, IB=0  
VEB=7V, IC=0  
V
V
μA  
μA  
μA  
0.1  
100  
0.1  
460  
Base cut-off current  
ICEO  
Emitter cut-off current  
IEBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
fT  
VCE=10V, IC=2mA  
160  
90  
DC current gain  
VCE=2V, IC=100mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
IC=100mA, IB=10mA  
VCB=10V, IC=2mA, f=200MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
0.3  
MHz  
pF  
150  
3.5  
Collector output capacitance  
Cob  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
Q
R
210-340  
ZR  
S
160-260  
290-460  
Range  
Marking  
ZQ  
ZS  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2007 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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