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2SD1758TL/R

更新时间： 2024-01-21 16:18:46
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 151K
描述
2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN

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2SD1758TL/R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：CPT3, SC-63, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.26
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.8 V
Base Number Matches：1

2SD1758TL/R 数据手册

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Medium power transistor (32V, 2A)  
2SD1758 / 2SD1862  
Features  
Dimensions (Units : mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC/IB = 2A / 0.2A)  
2) Complements the 2SB1182 / 2SB1240  
2SD1758  
2SD1862  
2.5 0.2  
+0.2  
6.8 0.2  
2.3  
6.5 0.2  
−0.1  
C0.5  
+0.2  
5.1  
0.5 0.1  
−0.1  
0.65 0.1  
0.75  
0.65Max.  
Structure  
Epitaxial planar type NPN silicon transistor  
0.9  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
2.3 0.2 2.3 0.2  
(1) (2) (3)  
0.5 0.1  
(1) (2)  
(3)  
2.54  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
40  
32  
5
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
2
A (DC)  
A (Pulse)  
Collector current  
I
C
2.5  
∗1  
Collector  
2SD1758  
10  
W (T  
C
=25°C)  
∗2  
W
power  
P
C
2SD1862  
1
dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 Single pulse, PW=20ms  
∗2 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm2 or lager.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
40  
32  
5
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=50μA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C=1mA  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=50μA  
CB=20V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
1
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
1
∗
∗
∗
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
h
120  
−
390  
0.8  
−
−
−
V
CE=3V, I =0.5A  
C
V
0.5  
I
C
/I  
CE=5V, I  
CB=10V, I  
B
=2A/0.2A  
=−50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
−
100  
30  
MHz  
pF  
V
V
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
2010.04 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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