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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1759
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2SD1759

更新时间： 2024-01-10 12:55:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Power transistor (40V, 2A)

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2SD1759 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.78
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

2SD1759 数据手册

  
2SD1759 / 2SD1861  
Transistors  
Power transistor (40V, 2A)  
2SD1759 / 2SD1861  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter.  
3) Complements the 2SB1183 / 2SB1239.  
2SD1759  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
!Equivalent circuit  
0.8Min.  
1.5  
C
2.5  
9.5  
B
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
RBE 4kΩ  
C
B
E
: Collector  
: Base  
: Emitter  
2SD1861  
E
2.5  
6.8  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
0.65Max.  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
40  
VCBO  
VCER  
VEBO  
0.5  
40  
V(RBE=10kΩ)  
V
5
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
2
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
2.54 2.54  
∗1  
∗2  
1.05  
0.45  
3
2SD1861  
2SD1759  
1
W
Collector power  
dissipation  
Taping specifications  
P
C
1
10  
W(TC=25°C)  
ROHM : ATV  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 Single pulse  
PW=10ms  
∗2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD1759  
CPT3  
1k~200k  
TL  
2SD1861  
Package  
ATV  
hFE  
1k~  
Code  
TV2  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
2500  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
40  
40  
5
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
−
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
−
1
I
I
I
C
=50µA  
=1mA , RBE=10kΩ  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
V
C
V
E
=50µA  
CB=24V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
1
1.5  
20000  
−
Collector-emitter saturation voltage  
V
I
C/I  
B
=0.6mA/1.2mA  
2SD1759  
2SD1861  
1000  
1000  
−
−
−
DC current  
transfer ratio  
hFE  
V
CE/I  
C=3V/0.5A  
Output capacitance  
Cob  
11  
−
pF  
V
CB=10V , I =0A , f=1MHz  
E
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1759F5 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR
2SD1759TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-
2SD1759TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
2SD176 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
2SD1760 KEXIN

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 		Medium Power Transistor
2SD1760 TYSEMI

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 		Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) Collector-base voltage VCBO 60 V
2SD1760 ROHM

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 		Power Transistor 50V, 3A
2SD1760 SECOS

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1760 SWST

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 		功率三极管
2SD1760 CJ

获取价格

 		TO-252-2L

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