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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.63 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1760/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1760_09 | ROHM |
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Power Transistor (50V, 3A) |
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| 2SD1760_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SD1760F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1760F5/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1760F5/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1760F5/PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1760F5/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1760F5P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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| 2SD1760F5Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
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