是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.63 | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 180 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 15 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 90 MHz | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD1760P | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA | |
2SD1760P(TO-251-2) | CJ |
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Transistor | |
2SD1760P(TO-252) | CJ |
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Transistor | |
2SD1760Q | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 | |
2SD1760-Q | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1760Q(TO-251) | CJ |
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Transistor | |
2SD1760Q(TO-252) | CJ |
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Transistor | |
2SD1760R | ROHM |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 | |
2SD1760-R | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1760R(TO-251) | CJ |
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Transistor |