5秒后页面跳转
2SD1760TLQ PDF预览

2SD1760TLQ

更新时间: 2024-02-10 06:05:12
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Epitaxial planar type NPN silicon transistor

2SD1760TLQ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.63外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):90 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SD1760TLQ 数据手册

 浏览型号2SD1760TLQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1760TLQ的Datasheet PDF文件第3页 
2SD1760 / 2SD1864  
Transistors  
Power Transistor (50V, 3A)  
2SD1760 / 2SD1864  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Low VCE(sat).  
2SD1760  
2SD1864  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC/IB = 2A / 0.2A)  
2.5 0.2  
6.8 0.2  
+0.2  
0.1  
2.3  
6.5 0.2  
C0.5  
+0.2  
5.1  
0.5 0.1  
0.1  
2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.  
0.65Max.  
0.65 0.1  
0.75  
0.9  
0.5 0.1  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
!Structure  
2.3 0.2 2.3 0.2  
(1) (2) (3)  
(1) (2)  
2.54  
(3)  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : CPT3  
EIAJ  
:
SC-63  
ROHM : ATV  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
V
V
50  
5
V
3
A (DC)  
A (Pulse)  
Collector current  
I
C
1  
2  
4.5  
2SD1760  
2SD1864  
15  
1
W (Tc=25°C)  
Collector power  
dissipation  
P
C
W
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
55~+150  
1 Single pulse, P  
W
=100ms  
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.  

2SD1760TLQ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD1760TLR ROHM

类似代替

Power Transistor (50V, 3A)
2SD1222 TOSHIBA

功能相似

NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIO

与2SD1760TLQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1760TLR ROHM

获取价格

Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760TR/P ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1760TR/PQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1760TR/Q ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1760TR/QR ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1760U SWST

获取价格

功率三极管
2SD1761 ROHM

获取价格

TRIPLE DIFFUSED PLANAR NPN SILICON TRANSISTOR
2SD1761 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1761 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1761 CJ

获取价格

TO-220F