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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1759TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC- |
|
| 2SD1759TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD176 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| 2SD1760 | KEXIN |
获取价格 |
Medium Power Transistor |
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| 2SD1760 | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) Collector-base voltage VCBO 60 V |
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| 2SD1760 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor 50V, 3A |
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| 2SD1760 | SECOS |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
|
| 2SD1760 | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
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| 2SD1760 | CJ |
获取价格 |
TO-252-2L |
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| 2SD1760 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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