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2SD1760

更新时间： 2024-09-24 07:31:31

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

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2SD1760 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1760 数据手册

2SD1760

3A , 60V

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

D-Pack (TO-252)

FEATURES



Low V_CE(sat). V_CE(sat)= 0.5V(Typ.) (I_C/I_B= 2A / 0.2A)



Complements the 2SB1184

CLASSIFICATION OF h_FE

Product-Rank 2SD1760-P

2SD1760-Q

120~270

2SD1760-R

180~390

Range

82~180

G E

PACKAGE INFORMATION

H F

Package

MPQ

Leader Size

13’ inch

TO-252

2.5K

Collector

Millimeter



REF.

Min.

Max.

Min.

Max.

6.4

5.20

2.20

0.45

6.8

2.40

5.40

0.8

6.8

5.50

2.40

0.58

7.3

3.0

6.2

1.20

2.30 REF.

0.70

0.90

1.1

1.6

0.15

0.58

0.50

0.9



Base

0.43



Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

1.5

℃

T_J

150

Storage Temperature

T_STG

-55 ~ 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C=50μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50μA, I_C=0

μA

V_CB=40V, I_E=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

DC current gain

h_FE

390

V_CE=3V, I_C=500mA

I_C=2A, I_B=200mA

V_CE=5V, I_C=500mA, f=30MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

Collector Output Capacitance

C_OB

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

28-Mar-2011 Rev. A

Page 1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1760/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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2SD1760F5/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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