2SD1758TLQ

更新时间： 2024-01-26 22:09:21

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	110K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1758TLQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	10 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.8 V

2SD1758TLQ 数据手册

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Transistors

Medium Power Transistor (32V, 2A)

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

2SD1766

2SD1758

V^CE(sat)= 0.5V(Typ.)

（IC / IB = 2A / 0.2A）

2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 /

2SB1240.

+0.2

−0.1

4.5

0.2

2.3

6.5 0.2

0.2

−

0.1

+0.2

−0.1

1.5

C0.5

1.6 0.1

0.1

5.1

0.5 0.1

−

(1) (2) (3)

0.65 0.1

+0.1

0.75

0.4

−0.05

0.9

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

Abbreviated symbol : DB

∗

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

zStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

2SD1862

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54 2.54

(3)

1.05

0.45 0.1

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Limits

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

Collector current

2.5

A (Pulse)

∗

ICP

0.5

2SD1766

Collector

power

∗

W (Tc=25°C

2SD1758

2SD1862

dissipation

)

∗

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

1 Single pulse, Pw=20ms

Tstg

−55 to +150

∗

2 When mounted on a 40

×40×0.7 mm ceramic board.

3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm²or lager.

Rev.A

1/3

12 3 4

下载PDF

与2SD1758TLQ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1758TLR	LITTELFUSE	Medium power transistor (32V, 2A)	获取价格
2SD1758TLR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-	获取价格
2SD1758TR/P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1758TR/PR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格
2SD1758TR/Q	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SD1758TR/QR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	获取价格