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2SD1758TLR

更新时间： 2024-02-07 16:08:50
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力特 - LITTELFUSE 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 111K
描述
Medium power transistor (32V, 2A)

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2SD1758TLR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.63外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：10 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.8 V

2SD1758TLR 数据手册

 浏览型号2SD1758TLR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1758TLR的Datasheet PDF文件第3页 
Medium power transistor (32V, 2A)  
2SD1758 / 2SD1862  
Features  
Dimensions (Units : mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC/IB = 2A / 0.2A)  
2) Complements the 2SB1182 / 2SB1240  
2SD1758  
2SD1862  
2.5 0.2  
+0.2  
6.8 0.2  
2.3  
6.5 0.2  
−0.1  
C0.5  
+0.2  
5.1  
0.5 0.1  
−0.1  
0.65 0.1  
0.75  
0.65Max.  
Structure  
Epitaxial planar type NPN silicon transistor  
0.9  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
2.3 0.2 2.3 0.2  
(1) (2) (3)  
0.5 0.1  
(1) (2)  
(3)  
2.54  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
40  
32  
5
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
2
A (DC)  
A (Pulse)  
Collector current  
IC  
2.5  
∗1  
Collector  
2SD1758  
10  
W (T  
C
=25°C)  
∗2  
W
power  
P
C
2SD1862  
1
dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 Single pulse, PW=20ms  
∗2 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm2 or lager.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
40  
32  
5
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=50μA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C=1mA  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=50μA  
CB=20V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
1
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
1
∗
∗
∗
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
h
120  
−
390  
0.8  
−
−
−
V
CE=3V, I =0.5A  
C
V
0.5  
I
C
/I  
CE=5V, I  
CB=10V, I  
B
=2A/0.2A  
=−50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
−
100  
30  
MHz  
pF  
V
V
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Measured using pulse current.  
∗
www.rohm.com  
2010.04 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SD1758TLR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1758TR/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1758TR/PR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1758TR/Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1758TR/QR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1759 ROHM

获取价格

 		Power transistor (40V, 2A)
2SD1759F5 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR
2SD1759TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-
2SD1759TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
2SD176 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
2SD1760 KEXIN

获取价格

 		Medium Power Transistor

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