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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1758TR/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| 2SD1759 | ROHM |
获取价格 |
Power transistor (40V, 2A) |
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| 2SD1759F5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1759TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC- |
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| 2SD1759TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD176 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| 2SD1760 | KEXIN |
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Medium Power Transistor |
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| 2SD1760 | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) Collector-base voltage VCBO 60 V |
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| 2SD1760 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor 50V, 3A |
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| 2SD1760 | SECOS |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
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