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2SD1638

更新时间: 2024-11-03 21:55:31
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
EpItaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistor

2SD1638 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:10 W最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SD1638 数据手册

  

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