5秒后页面跳转
2SD1646 PDF预览

2SD1646

更新时间: 2024-09-23 21:55:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

2SD1646 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V

2SD1646 数据手册

  

与2SD1646相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1646C7 ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1646C7K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1646K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1647 ROHM

获取价格

EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1647C7 ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1647C7K ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1647K ROHM

获取价格

暂无描述
2SD1649 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1649 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1649 SANYO

获取价格

COLOR TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATIONS(WITH DAMPER DIODE)