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2SD1638_15

更新时间： 2024-09-25 01:20:19

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1638_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD1638

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For low frequency and power

amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

Open collector

P_D

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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