Datasheet > 2SD1646

2SD1646

更新时间： 2024-11-04 07:31:31

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	96K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1646 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1646 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1646

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min.)

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min) @I_C= 1A

·Low Collector Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SD1646相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1646C7	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1646C7K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1646K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1647	ROHM	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1647C7	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1647C7K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1647K	ROHM	获取价格	暂无描述
2SD1649	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1649	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1649	SANYO	获取价格	COLOR TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATIONS(WITH DAMPER DIODE)