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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 70 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1645Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD1645R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD1645S | PANASONIC |
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Transistor |
|
| 2SD1646 | ROHM |
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EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2SD1646 | ISC |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1646C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SD1646C7K | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SD1646K | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SD1647 | ROHM |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| 2SD1647C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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