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2SD1651

更新时间: 2024-02-28 01:41:58
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锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1651 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PMLH
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.76其他特性:HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:800 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1651 数据手册

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Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD1651  
DESCRIPTION  
·
·With TO-3PML package  
·Built-in damper diode  
·High breakdown voltage  
·High speed switching  
APPLICATIONS  
·For color TV horizontal output applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
1500  
800  
UNIT  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
V
Open collector  
6
V
5
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
60  
W
150  
Tj  
Tstg  
-55~150  
JMnic  

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