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2SD1647

更新时间: 2024-11-03 21:55:35
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管达林顿晶体管开关局域网
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1页 56K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

2SD1647 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1000
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1647 数据手册

  

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