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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1479 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1479 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1480 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD1480 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
|
| 2SD1480P | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SD1480Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SD1480R | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SD1481 | NEC |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2SD1481-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SD1481-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
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