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2SD1484KT146

更新时间： 2024-11-25 21:09:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1484KT146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SD1484KT146 数据手册

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2SD1949/2SD1484K  
Transistors  
Medium Power Transistor (50V,0.5A)  
2SD1949/2SD1484K  
Features  
1) High current.(IC=0.5A)  
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.  
Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
Unit  
V
50  
50  
V
5
0.5  
V
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
W
C
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
Electrical characteristics (Ta=25 C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
50  
50  
5
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
250  
Max.  
−
−
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector outoff current  
V
V
IC  
=
100µA  
1mA  
IC  
=
IE  
=
100µA  
−
V
−
−
0.5  
0.5  
390  
0.4  
−
VCB  
=
=
30V  
µA  
µA  
−
IEBO  
Emitter cutoff current  
VEB  
4V  
hFE  
DC current rransfer ratio  
120  
VCE/IC  
IC/IB 150mA/15mA  
5V , IE −20mA , f  
10V , IE 0A , f 1MHz  
=
3V/10mA  
VCE(sat)  
fT  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
−
−
−
V
=
MHz VCE  
pF VCB  
=
=
=
=
100MHz  
Output capacitance  
Cob  
6.5  
−
=
=
Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SD1949  
UMT3  
QR  
2SD1484K  
SMT3  
QR  
Marking  
Code  
Y
Y
T106  
3000  
T146  
3000  
Basic ordering unit (pleces)  
Danotes hFE  
hFE values are classified as follows :  
Item  
hFE  
Q
R
120 to 270 180 to 390  
Rev.D  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1484KT146/P ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT146/Q ROHM

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 		500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SMT3, SC-59, 3 PIN
2SD1484KT146/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1484KT146/R ROHM

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 		500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SMT3, SC-59, 3 PIN
2SD1484KT146P ROHM

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 		500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1484KT146Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2SD1484KT146R ROHM

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 		Medium Power Transistor (50V,0.5A)
2SD1484KT147 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/PR ROHM

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