2SD1487Q

更新时间： 2024-01-29 11:08:52

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SD1487Q 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1485

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max)@I_C= 3A

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1054

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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