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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1484KT146P
2SD1484KT146P PDF预览

2SD1484KT146P

更新时间： 2024-11-21 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD1484KT146P 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1484KT146P 数据手册

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Data Sheet  
Medium Power Transistor (50V,0.5A)  
2SD1949/2SD1484K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High current.(IC=0.5A)  
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.  
UMT3  
(SC-70)  
<SOT-323>  
(1) Emitter  
(2) Bace  
(3) Collector  
Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)  
SMT3  
(SC-59)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
Unit  
V
<SOT-346>  
2.9  
1.1  
0.8  
50  
0.4  
50  
V
(
)
3
5
0.5  
V
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
W
C
(
)
( )  
1
2
Tj  
150  
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
Tstg  
−55 to +150  
C
(1) Emitter  
(2) Bace  
(3) Collector  
Electrical characteristics (Ta=25 C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
50  
50  
5
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector outoff current  
V
V
IC  
=
100µA  
1mA  
−
−
IC=  
IE  
=
100µA  
−
−
V
−
−
0.5  
0.5  
390  
0.4  
−
VCB  
VEB  
=30V  
µA  
µA  
−
IEBO  
Emitter cutoff current  
−
−
=4V  
hFE  
DC current rransfer ratio  
120  
−
−
V
CE/IC  
IC/IB 150mA/15mA  
5V , IE −20mA , f  
10V , IE 0A , f 1MHz  
=3V/10mA  
VCE(sat)  
fT  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
−
V
=
=
=
−
250  
6.5  
MHz VCE  
pF VCB  
=
=
=100MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
=
Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SD1949  
UMT3  
QR  
2SD1484K  
SMT3  
QR  
Marking  
Code  
Y
Y
T106  
3000  
T146  
3000  
Basic ordering unit (pleces)  
Danotes hFE  
hFE values are classified as follows :  
Item  
hFE  
Q
R
120 to 270 180 to 390  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.06 - Rev. E  
1/2  
123

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与2SD1484KT146P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1484KT146Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2SD1484KT146R ROHM

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 		Medium Power Transistor (50V,0.5A)
2SD1484KT147 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1484KT147P ROHM

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 		500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1484KT147Q ROHM

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 		500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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